[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210362875.0 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN115206837A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 田中博司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的是得到可提高面内均匀性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体制造装置具有：旋转台，其使晶片旋转；喷嘴，其将药液供给至所述晶片的处理面；以及喷嘴移动部，其在所述处理面的上方，使所述喷嘴在俯视观察时横穿所述处理面的扫描轨迹上移动，所述喷嘴移动部使所述喷嘴以所述扫描轨迹上的第1轨迹和第2轨迹移动，从而通过所述药液对所述晶片进行蚀刻，所述第1轨迹是相对于所述扫描轨迹中的最接近所述旋转轴的部分在一侧的第1折返点和另一侧的第2折返点折返的轨迹，所述第2轨迹是在所述扫描轨迹上的第3折返点和相对于所述扫描轨迹中的最接近所述旋转轴的部分设置于与所述第3折返点相同侧的第4折返点折返的轨迹。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210362875.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
