[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法

说明书

目的是得到可提高面内均匀性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体制造装置具有：旋转台，其使晶片旋转；喷嘴，其将药液供给至所述晶片的处理面；以及喷嘴移动部，其在所述处理面的上方，使所述喷嘴在俯视观察时横穿所述处理面的扫描轨迹上移动，所述喷嘴移动部使所述喷嘴以所述扫描轨迹上的第1轨迹和第2轨迹移动，从而通过所述药液对所述晶片进行蚀刻，所述第1轨迹是相对于所述扫描轨迹中的最接近所述旋转轴的部分在一侧的第1折返点和另一侧的第2折返点折返的轨迹，所述第2轨迹是在所述扫描轨迹上的第3折返点和相对于所述扫描轨迹中的最接近所述旋转轴的部分设置于与所述第3折返点相同侧的第4折返点折返的轨迹。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

在专利文献1中公开了基板处理装置。基板处理装置具有保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构、控制部。保持部水平地保持基板。旋转机构使保持部旋转。喷嘴对保持部所保持的基板供给蚀刻液。移动机构使喷嘴移动。控制部对旋转机构及移动机构进行控制，从喷嘴对旋转的基板供给蚀刻液，与此同时，执行扫描处理。在扫描处理中，喷嘴在基板上方的第1位置和与第1位置相比更靠基板的外周侧的第2位置之间往返。另外，控制部一边变更第1位置，一边执行多次扫描处理。

专利文献1：日本特开2018-147923号公报

在专利文献1中，在旋转轴中心附近设置扫描动作的折返点。此时，有可能在旋转轴中心附近产生由扫描动作的折返引起的蚀刻量的特异点。特异点是蚀刻量与周围相比极端地变化的部分。在旋转轴中心附近，容易出现由药液的流动的拐点引起的蚀刻量的特异点。由于该特异点加上由扫描动作的折返引起的特异点，因此旋转轴中心附近的蚀刻量的分布有可能恶化。由此，被蚀刻物的剩余厚度存在容易偏离规格的可能性，半导体装置的电气特性有可能恶化。

发明内容

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，得到能够提高面内均匀性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

本发明涉及的半导体制造装置具有：旋转台，其使晶片旋转；喷嘴，其将药液供给至所述晶片的处理面；以及喷嘴移动部，其在所述处理面的上方，使所述喷嘴在俯视观察时横穿所述处理面的扫描轨迹上移动，所述喷嘴移动部使所述喷嘴以所述扫描轨迹上的第1轨迹和第2轨迹移动，从而通过所述药液对所述晶片进行蚀刻，所述第1轨迹是相对于所述扫描轨迹中的与所述旋转台的旋转轴最接近的部分在一侧的第1折返点和另一侧的第2折返点折返的轨迹，所述第2轨迹是在所述扫描轨迹上的第3折返点和相对于所述扫描轨迹中的最接近所述旋转轴的部分设置于与所述第3折返点相同侧的第4折返点折返的轨迹。

在本发明涉及的半导体装置的制造方法中，将晶片搭载于旋转台，一边通过所述旋转台使所述晶片旋转，一边通过使喷嘴在所述晶片的处理面的上方在俯视观察时横穿所述处理面的扫描轨迹上移动的喷嘴移动部，使所述喷嘴以所述扫描轨迹上的第1轨迹和第2轨迹移动，从所述喷嘴将药液供给至所述处理面而对所述晶片进行蚀刻，所述第1轨迹是相对于所述扫描轨迹中的与所述旋转台的旋转轴最接近的部分在一侧的第1折返点和另一侧的第2折返点折返的轨迹，所述第2轨迹是在所述扫描轨迹上的第3折返点和相对于所述扫描轨迹中的最接近所述旋转轴的部分设置于与所述第3折返点相同侧的第4折返点折返的轨迹。

发明的效果

在本发明涉及的半导体制造装置及半导体装置的制造方法中，通过使供给药液的喷嘴以第1轨迹和第2轨迹移动，从而能够提高面内均匀性。

附图说明

图1是实施方式1涉及的半导体制造装置的斜视图。

图2是说明第1轨迹的图。

图3是说明第2轨迹的图。

图4是说明中心区域的图。

图5是说明第1轨迹的例子的图。