[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其特征在于，具有：

旋转台，其使晶片旋转；

喷嘴，其将药液供给至所述晶片的处理面；以及

喷嘴移动部，其在所述处理面的上方，使所述喷嘴在俯视观察时横穿所述处理面的扫描轨迹上移动，

所述喷嘴移动部使所述喷嘴以所述扫描轨迹上的第1轨迹和第2轨迹移动，从而通过所述药液对所述晶片进行蚀刻，

所述第1轨迹是相对于所述扫描轨迹中的与所述旋转台的旋转轴最接近的部分在一侧的第1折返点和另一侧的第2折返点折返的轨迹，

所述第2轨迹是在所述扫描轨迹上的第3折返点和相对于所述扫描轨迹中的最接近所述旋转轴的部分设置于与所述第3折返点相同侧的第4折返点折返的轨迹。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述第1折返点和所述第2折返点在俯视观察时设置于从所述旋转轴算起的一定范围即中心区域的外侧，

所述第2轨迹在俯视观察时设置于所述中心区域的外侧。

3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，

在以所述第1轨迹进行了蚀刻的情况下，越远离所述旋转轴，蚀刻量越增加或减少，

所述中心区域是从所述旋转轴至所述蚀刻量的增加或减少收敛为止的范围。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述喷嘴移动部使所述喷嘴以所述第1折返点或所述第2折返点不同的多个第1轨迹移动。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述喷嘴移动部使所述喷嘴以所述第3折返点或所述第4折返点不同的多个第2轨迹移动。

6.根据权利要求2或3所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述喷嘴移动部在所述第1折返点或所述第2折返点不同的多个第1轨迹之间对轨迹进行切换的情况下、在所述第3折返点或所述第4折返点不同的多个第2轨迹之间对轨迹进行切换的情况下、或在所述第1轨迹和所述第2轨迹之间对轨迹进行切换的情况下，如果在切换时的所述喷嘴的移动方向上存在切换后的轨迹的折返点，则在所述折返点使所述喷嘴折返，如果在切换时的所述喷嘴的移动方向上不存在切换后的轨迹的折返点，则在离开了所述中心区域的时间点使所述喷嘴折返。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体制造装置，其特征在于，

具有控制部，该控制部与包含多个步骤的处理方案对应地对所述喷嘴移动部进行控制，

在所述控制部中，能够针对所述多个步骤的每一者对所述第1折返点及所述第2折返点、或所述第3折返点及所述第4折返点进行设定。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述喷嘴移动部使所述喷嘴依次以至少1个所述第1轨迹和至少1个所述第2轨迹移动，最后使所述喷嘴以所述至少1个第1轨迹和所述至少1个第2轨迹中的均匀性最佳的轨迹移动。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述晶片由宽带隙半导体形成。

10.根据权利要求9所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述宽带隙半导体为碳化硅、氮化镓类材料或金刚石。