[发明专利]一种应力硅及其制备方法与半导体元件在审
| 申请号： | 202210360983.4 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114883188A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 崔积适 | 申请（专利权）人： | 三明学院 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/324;H01L29/16 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 邱明惠 |
| 地址： | 365000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应力硅及其制备方法，涉及光电材料领域，其方法包含以下步骤：准备一块硅衬底，在硅衬底上刻蚀出V型狭缝凹槽，通过施加的应力使刻蚀后的硅衬底弯曲，至V型狭缝凹槽两侧贴在一起；再对V型狭缝凹槽贴在一起的狭缝进行退火处理，至狭缝处硅为熔融状态，V型狭缝凹槽两侧的硅融化后重新结晶，并形成共价键，再缓慢冷却；冷却到室温后，去除施加的应力，硅衬底恢复成平整状态，V型狭缝凹槽两侧因硅重新结晶形成共价键而连在一起，并在V型狭缝凹槽附近形成拉应力，该拉应力，可减小硅的吸收带隙，且如果在硅中产生的应力不对称，则可以打破硅的中心对称结构，使硅产生一阶电光效应，提高硅的调制效率。本申请另提供一种半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 及其 制备 方法 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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