[发明专利]一种应力硅及其制备方法与半导体元件

权利要求书

1.一种应力硅的制备方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤：

在提供的硅衬底上刻蚀V型狭缝凹槽；

对所述硅衬底施加应力使其变成弧形硅衬底，且使得所述V型狭缝凹槽两侧贴在一起；

退火处理贴在一起的所述V型狭缝凹槽，直至所述V型狭缝凹槽处的硅处于熔融状态；

将所述V型狭缝凹槽两侧的硅融化后重新结晶，并形成共价键；

冷却到室温后，去除施加的应力；

将所述硅衬底恢复为平整状态，所述V型狭缝凹槽两侧因硅重新结晶形成共价键而连接在一起，从而在所述V型狭缝凹槽附近形成拉应力。

2.根据权利要求1所述的应力硅的制备方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀或干法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的应力硅的制备方法，其特征在于，所述退火处理为激光退火处理。

4.根据权利要求1所述的应力硅的制备方法，其特征在于，所述V型狭缝凹槽设置在所述硅衬底边侧的中间位置。

5.根据权利要求1所述的应力硅的制备方法，其特征在于，所述V型狭缝凹槽处的拉应力会产生一定的形变。

6.一种应力硅，其特征在于，采用如权利要求1至5任意一项所述的制备方法制备得到。

7.根据权利要求6所述的应力硅，其特征在于，所述应力硅能够吸收覆盖C波段。

8.一种半导体元件，其特征在于，包括如权利要求6所述的应力硅。