[发明专利]一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法有效
| 申请号： | 202210354799.9 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN114496761B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张长沙;李佳帅;何佳 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法，在SiC衬底上外延漂移层，之后形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形阱区通孔，离子注入形成阱区；重新形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形有源区通孔，离子注入形成源区；将阻挡层清除后在漂移层上生长氧化层，形成阻挡层，对阻挡层以及氧化层蚀刻形成环形源极金属区通孔，金属淀积形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及氧化层蚀刻形成肖特基金属区通孔，金属淀积形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成栅极区通孔，金属淀积形成栅极金属层；清除阻挡层，金属淀积形成漏极金属层；提高器件的电流密度，功率密度做高，充分发挥SiC器件宽禁带材料的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 圆形 纵向 mosfet 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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