[发明专利]一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法

权利要求书

1.一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、在SiC衬底上外延一层漂移层，在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成环形阱区通孔，通过环形通孔对漂移层进行离子注入，形成阱区；

步骤2、在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成环形有源区通孔，通过环形有源区通孔对阱区进行离子注入，形成源区；

步骤3、将阻挡层清除，之后在漂移层上生长氧化层，在氧化层上形成阻挡层，并对阻挡层以及氧化层蚀刻形成环形源极金属区通孔，通过源极金属区通孔进行源极金属淀积，形成源极金属层；

步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层以及氧化层蚀刻形成肖特基金属区通孔，通过肖特基金属区通孔进行肖特基金属淀积，肖特基金属层；

步骤5、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成栅极区通孔，通过栅极区通孔进行金属淀积，形成栅极金属层；清除阻挡层，之后在所述SiC衬底底部进行金属淀积，形成漏极金属层。

2.如权利要求1所述的一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法，其特征在于：还包括：

步骤6、栅极金属层上方淀积一层氧化层。

3.如权利要求1所述的一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法，其特征在于：所述SiC衬底为第一导电类型，所述漂移层为第一导电类型，所述阱区为第二导电类型，所述源区为第一导电类型。