[发明专利]LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210336652.7 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114843190A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成第一氧化层，衬底中形成有第一STI结构、第二STI结构和第三STI结构；在衬底中形成第一掺杂区；在衬底中形成第二掺杂区，第二掺杂区覆盖第二STI结构和第三STI结构所环绕的区域中除第一掺杂区所覆盖的区域以外的其它区域；通过热氧化工艺加厚第二掺杂区上方的第一氧化层；去除第一目标区域的第一氧化层，剩余的第一氧化层形成栅极场板结构；在栅极场板结构上形成LDMOS器件的栅极和栅极两侧的侧墙；在第一掺杂区和所述第二掺杂区中形成第一重掺杂区；在第一STI结构和第二STI结构之间的衬底中形成第二重掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
