[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210306503.6 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114864808A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 黄致凡;郑凯文;黄镇球;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包含位于半导体基板上的第一导电特征部件、位于第一导电特征部件上的底部电极、位于底部电极上的磁性穿隧接面堆叠以及位于磁性穿隧接面堆叠上的顶部电极。间隔物接触顶部电极侧壁、磁性穿隧接面堆叠的侧壁以及底部电极的侧壁。导电特征部件接触顶部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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