[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210306503.6 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114864808A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 黄致凡;郑凯文;黄镇球;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包含：
一第一导电特征部件，于一半导体基板上；
一底部电极，于上述第一导电特征部件上；
一磁性穿隧接面堆叠，于上述底部电极上；
一顶部电极，于上述磁性穿隧接面堆叠上；以及
一间隔物，包含：
一第一钝化层，接触上述顶部电极的一侧壁、上述磁性穿隧接面堆叠的一侧壁以及上述底部电极的一侧壁，上述第一钝化层包含一第一介电材料；
一第二钝化层，于上述第一钝化层上，上述第二钝化层包含一导电材料；以及
一第三钝化层，于上述第二钝化层上，上述第二钝化层包含上述第一介电材料。
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