[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202210303405.7 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114678323A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 颜逸飞 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体装置及其形成方法，包括衬底、有源结构以及浅沟槽隔离。有源结构设置在衬底中，包括第一有源区、设置在第一有源区外侧的第二有源区、以及设置在第二有源区外侧的第三有源区。浅沟槽隔离设置在所述衬底中，围绕所述有源结构。透过有源结构的第三有源区与第二有源区可强化半导体装置的结构稳定性，并改善周围的应力，避免半导体装置发生结构的倒塌或毁损。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
