[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底；以及

有源结构，设置在所述衬底中，所述有源结构包括：

第一有源区，包括多个有源区单元，各所述有源区单元彼此平行、相互分隔地沿着第一方向延伸；

第二有源区，设置在所述第一有源区外侧；

第三有源区，设置在所述第二有源区外侧，所述第二有源区以及所述第三有源区皆包括沿着第二方向延伸的第一侧边和沿着第三方向延伸的第二侧边，并且所述第一侧边直接连接所述第二侧边，其中，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向，所述第二方向垂直于所述第三方向；以及

浅沟槽隔离，设置在所述衬底中，围绕所述有源结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二有源区包括多个沟槽，各所述沟槽设置在所述第二有源区的所述第一侧边或所述第二有源区的所述第二侧边上，并朝向所述第三有源区的所述第一侧边或所述第三有源区的所述第二侧边。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述沟槽具有相同的孔径。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述沟槽具有不同的孔径。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二有源区的所述第一侧边或所述第二有源区的所述第二侧边具有城垛状轮廓，所述城垛状轮廓不接触所述有源区单元。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一部分的所述有源区单元直接接触所述第二有源区的所述第一侧边或所述第二有源区的所述第二侧边。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一部分的所述有源区单元在所述第一方向上具有不同的长度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二有源区的所述第一侧边或所述第二有源区的所述第二侧边的宽度大于所述第三有源区的所述第一侧边或所述第三有源区的所述第二侧边的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，部分浅沟槽隔离设置在所述第二有源区与所述第三有源区之间，以及所述有源区单元与所述第二有源区之间。

10.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；以及

于所述衬底内形成有源结构以及浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离围绕所述有源结构，其中，所述有源结构包括：

第一有源区，包括多个有源区单元，各所述有源区单元彼此平行、相互分隔地沿着第一方向延伸；

第二有源区，设置在所有的所述第一有源区外侧；以及

第三有源区，设置在所述第二有源区外侧，所述第二有源区以及所述第三有源区皆包括沿着第二方向延伸的第一侧边和沿着第三方向延伸的第二侧边，并且所述第一侧边直接连接所述第二侧边，其中，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向，所述第二方向垂直于所述第三方向。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底上形成依序堆叠的第一掩模层以及第二掩模层；

进行自对准双重图案化制作工艺，在所述第二掩模层上形成多个掩模图案彼此平行、相互分隔地沿着所述第一方向延伸，在所述第二掩模层上形成间隙壁；

在所述第二掩模层上形成光刻胶层，所述光刻胶层重叠于各所述掩模图案的两端；以及

透过所述光刻胶层以及所述掩模图案对所述第二掩模层进行蚀刻制作工艺，形成多个第一图案、多个第二图案以及多个第三图案，所述第一图案彼此平行、相互分隔地沿着所述第一方向延伸，所述第二图案沿着所述第二方向延伸，所述第三图案沿着所述第三方向延伸，各所述第一图案直接接触所述第二图案或所述第三图案。