[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

本发明公开了半导体装置及其形成方法，包括衬底、有源结构以及浅沟槽隔离。有源结构设置在衬底中，包括第一有源区、设置在第一有源区外侧的第二有源区、以及设置在第二有源区外侧的第三有源区。浅沟槽隔离设置在所述衬底中，围绕所述有源结构。透过有源结构的第三有源区与第二有源区可强化半导体装置的结构稳定性，并改善周围的应力，避免半导体装置发生结构的倒塌或毁损。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其形成方法，尤其是涉及一种包括有源结构以及绝缘结构的半导体装置及其形成方法。

背景技术

随着半导体装置微小化以及集成电路的复杂化，组件的尺寸不断地减小，结构亦不断地变化，因此，维持小尺寸半导体组件的效能为目前业界的主要目标。在半导体制作工艺中，多半是在衬底上定义出多个有源区域作为基础，再于所述有源区域上形成所需组件。一般来说，有源区域为利用光刻及蚀刻等制作工艺在衬底上所形成的多个图案，但在尺寸微缩的要求下，有源区域的宽度逐渐缩减，而各个有源区域之间的间距也渐缩小，使得其制作工艺也面临许多限制与挑战，以至于无法满足产品需求。

发明内容

本发明之一目的在于提供一种半导体装置及其形成方法，其包括第一有源区、设置在第一有源区外侧的第二有源区、以及设置在第二有源区外侧的第三有源区。藉此，可改善半导体装置的结构强度以及周围的应力，避免半导体装置发生结构的倒塌或毁损。

为达上述目的，本发明之一实施例提供一种半导体装置，包括衬底、有源结构以及浅沟槽隔离。所述有源结构设置在所述衬底中，包括第一有源区、第二有源区以及第三有源区。所述第一有源区包括多个有源区单元彼此平行、相互分隔地沿着第一方向延伸。所述第二有源区设置在所述第一有源区外侧。所述第三有源区设置在所述第二有源区外侧，所述第二有源区以及所述第三有源区皆包括沿着第二方向延伸的第一侧边和沿着第三方向延伸的第二侧边，并且所述第一侧边直接连接所述第二侧边，其中，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向，所述第二方向垂直于所述第三方向。所述浅沟槽隔离设置在所述衬底中，围绕所述有源结构。

为达上述目的，本发明之一实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括以下步骤。首先，提供衬底，于所述衬底内形成有源结构以及浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离围绕所述有源结构。所述有源结构包括第一有源区、第二有源区以及第三有源区。所述第一有源区包括多个有源区单元彼此平行、相互分隔地沿着第一方向延伸。所述第二有源区设置在所述第一有源区外侧。所述第三有源区设置在所述第二有源区外侧，所述第二有源区以及所述第三有源区皆包括沿着第二方向延伸的第一侧边和沿着第三方向延伸的第二侧边，并且所述第一侧边直接连接所述第二侧边，其中，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向，所述第二方向垂直于所述第三方向。

附图说明

所附图示提供对于本发明实施例的更深入的了解，并纳入此说明书成为其中一部分。这些图示与描述，用来说明一些实施例的原理。需注意的是所有图示均为示意图，以说明和制图方便为目的，相对尺寸及比例都经过调整。相同的符号在不同的实施例中代表相对应或类似的特征。

图1至图9绘示本发明第一实施例中半导体装置的形成方法的示意图，其中：

图1为本发明的半导体装置于进行自对准双重图案化制作工艺时的俯视示意图；

图2为图1沿切线A-A’的剖面示意图；

图3为本发明的半导体装置于形成光刻胶层后的俯视示意图；

图4为本发明的半导体装置于进行蚀刻制作工艺后的俯视示意图；

图5为图4沿切线A-A’的剖面示意图；

图6为本发明的半导体装置于形成另一光刻胶层后的俯视示意图；

图7为图6沿切线A-A’的剖面示意图；

图8为本发明的半导体装置于形成有源结构以及浅沟槽隔离后的俯视示意图；以及