[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202210302849.9 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975268A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 邱士权;苏焕杰;庄正吉;谌俊元;游力蓁;张家豪;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种具有双侧源极/漏极(S/D)接触结构的半导体装置及其制造方法。此方法包括在基板上形成鳍状结构，在鳍状结构上形成超晶格结构，在超晶格结构内形成第一及第二源极/漏极区，在第一及第二源极/漏极区之间形成栅极结构，在第一及第二源极/漏极区的第一表面上形成第一及第二接触结构，在第一源极/漏极区的第二表面上形成具有功函数金属(work function metal,WFM)硅化层和双金属衬层的第三接触结构。第二表面相反于第一源极/漏极区的第一表面，相较于第一源极/漏极区的材料的价带能量，功函数金属硅化层的功函数值更接近该材料的导带能量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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