[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202210302849.9 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975268A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 邱士权;苏焕杰;庄正吉;谌俊元;游力蓁;张家豪;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
在一基板上形成一鳍状结构；
在该鳍状结构上形成一超晶格结构；
在该超晶格结构中形成第一源极/漏极区及第二源极/漏极区；
在该第一源极/漏极区及第二源极/漏极区之间形成一栅极结构；
在该第一源极/漏极区及第二源极/漏极区的多个第一表面上形成第一及第二接触结构；
在该第一源极/漏极区的一第二表面上形成一第三接触结构，其具有一功函数金属硅化层及一双金属衬层，其中该第二表面相反于该第一源极/漏极区的该第一表面，且其中相较于该第一源极/漏极区的一材料的一价带能量，该功函数金属硅化层的一功函数更接近该材料的一导带能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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