[发明专利]一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层在审
| 申请号： | 202210290078.6 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114783866A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 陈定平;刘重伶;周克涝;金航;刘欣;罗浩;胡华胜 | 申请（专利权）人： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 梁一博 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请属于半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层。该方法包括：对待刻蚀膜层，首先以光刻胶为掩膜，对待刻蚀膜层中的氧化硅膜层进行刻蚀，使氧化硅膜层呈正八字形态；然后以呈正八字形态的氧化硅膜为掩膜，对待刻蚀膜层中的TiN膜层进行刻蚀，使TiN膜层呈正八字形态；进一步的，采用湿法侧向腐蚀呈正八字形态的TiN膜层，使TiN膜层呈正梯形形貌，且TiN膜层的侧面与P‑氮化镓的顶面的内夹角位于85‑90度之间；剥去氧化硅膜后，得到目标TiN形貌的膜层。通过该方法制备的TiN膜层的TiN层与p‑GaN层的接触面积较大，能够减少TiN层与p‑GaN组成的反向的肖特基结的漏电情况，保证其具有较大的开启电压和较强的抗噪声能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tin 形貌 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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