[发明专利]一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层

权利要求书

1.一种TiN膜层形貌的刻蚀方法，其特征在于，该方法基于待刻蚀膜层进行，所述待刻蚀膜层依次包括光刻胶、氧化硅膜层、TiN膜层和P-氮化镓膜层，所述方法包括：

以所述光刻胶为掩膜，对所述氧化硅膜层进行刻蚀，使所述氧化硅膜层呈正八字形态；

以呈正八字形态的所述氧化硅膜为掩膜，对所述TiN膜层进行刻蚀，使所述TiN膜层呈正八字形态；

采用湿法侧向腐蚀呈正八字形态的所述TiN膜层，使所述TiN膜层呈正梯形形貌，且所述TiN膜层的侧面与所述P-氮化镓的顶面的内夹角位于85-90度之间；

剥去所述氧化硅膜后，得到目标TiN形貌的膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻胶为掩膜，对所述氧化硅膜层进行刻蚀，使所述氧化硅膜层呈正八字形态，包括：

在第一干刻机的第一控制条件下，以PR型号的光刻胶为掩膜，对所述氧化硅膜进行干刻，使得所述氧化硅膜呈第一预设条件和第一预设角度下的正八字形态。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述第一控制条件，包括：压力为100-350毫托，功率为400-1000瓦，磁场为10-50高斯，氩气的气体流量为每分钟50-200毫升，六氟化二碳的气体流量为每分钟50-200毫升，三氟甲烷的气体流量为每分钟10-100毫升，工艺处理时间为10-50秒；

所述第一预设条件包括：所述氧化硅膜与所述TiN膜层的单边距离为1000埃；

所述第一预设角度为75-80度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以呈正八字形态的所述氧化硅膜为掩膜，对所述TiN膜层进行刻蚀，使所述TiN膜层呈正八字形态，包括：

在第二干刻机的第二控制条件下，以呈正八字形态的所述氧化硅膜为掩膜，对所述TiN膜层进行干刻，使得所述TiN膜层呈第二预设条件和第二预设角度下的正八字形态。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第二控制条件，包括：压力为5-25毫托，上电极功率为250-550瓦、下电极功率为150-450瓦，氯气的气体流量为每分钟10-60毫升、三氯化硼的气体流量为每分钟10-70毫升，工艺处理时间为10-50秒；

所述第二预设条件包括：所述TiN膜层与所述P-氮化镓膜的单边距离为1000埃；

所述第二预设角度为70-75度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用湿法侧向腐蚀呈正八字形态的所述TiN膜层，使所述TiN膜层呈正梯形形貌，且所述TiN膜层的侧面与所述P-氮化镓的顶面的内夹角位于85-90度之间，包括：

采用混合酸液湿法侧向腐蚀呈正八字形态的所述TiN膜层，使所述TiN膜层的侧面与所述P-氮化镓的顶面的内夹角位于85-90度之间；

其中，所述混合酸液包括第一混合酸也和第二混合酸液，所述第一混合酸液为氨水和双氧水的混合酸，所述第二混合酸为硫酸和双氧水的混合酸。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用混合酸液湿法侧向腐蚀呈正八字形态的所述TiN膜层，包括：

采用第一混合酸对呈正八字形态的所述TiN膜层进行湿法侧向腐蚀后，再采用第二混合酸对呈正八字形态的所述TiN膜层进行湿法侧向腐蚀。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用第一混合酸对呈正八字形态的所述TiN膜层进行湿法侧向腐蚀，包括：

控制所述第一混合酸中氨水和双氧水的体积比为1:1-1:2；

将刻蚀温度设置为60-125℃，工艺处理时间设置为250-450秒，对呈正八字形态的所述TiN膜层进行湿法侧向腐蚀。