[发明专利]一种内置驱动电阻的半导体电路及其制作方法在审
| 申请号： | 202210250697.2 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114664774A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;谢荣才 | 申请（专利权）人： | 广东汇芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L25/16;H01L21/60;H03K17/16;H03K17/567 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 陆应健;资凯亮 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内置驱动电阻的半导体电路，栅极升焊盘与IGBT晶圆的栅极电连接；驱动电阻的一端靠近栅极管脚设置，驱动电阻的另一端靠近IGBT晶圆设置，驱动电阻的一端与第一端口升焊盘电连接，驱动电阻的另一端与第二端口升焊盘电连接；第二端口升焊盘通过第一键合线与栅极升焊盘电连接；栅极管脚通过第二键合线与第一端口升焊盘电连接，或者栅极管脚通过第三键合线与第二端口升焊盘电连接。还公开了一种内置驱动电阻的半导体电路的制造方法。所述内置驱动电阻的半导体电路及其制造方法解决了现有的半导体电路不能调节IGBT晶体管的开关速度和稳定性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内置 驱动 电阻 半导体 电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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