[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本申请公开了一种三维存储器及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提升三维存储器制备过程的可靠性，以及三维存储器的结构稳定性。制备方法包括：在衬底上形成堆叠结构；所述堆叠结构包括交替叠置的电介质层和栅牺牲层。在所述堆叠结构上形成第一接触柱。在所述堆叠结构远离所述衬底的一侧键合外围器件。去除所述衬底，并自所述堆叠结构远离所述外围器件的一侧，形成栅线缝隙；所述栅线缝隙贯穿所述堆叠结构。经由所述栅线缝隙，去除所述栅牺牲层并形成栅线层；所述栅线层与所述第一接触柱电连接。本申请用于制备三维存储器。