[发明专利]一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统在审
| 申请号： | 202210240281.2 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114660433A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 叶之菁;郑泽东 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/52 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵悦 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明属于电子电路技术领域，涉及一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统，包括：根据SiC MOSFET的输出特性曲线，判断SiC MOSFET的导通电压是否大于第一电压阈值，若是则触发保护动作；在SiC MOSFET的开尔文极和源极之间设置寄生电感，检测寄生电感产生的感应电压，将感应电压输入积分器中，获得积分电压，判断积分电压是否小于第二电压阈值，若是则触发保护动作；将去饱和保护检测信号和开尔文保护检测信号进行或运算，然后输出总保护信号，统一触发后续保护动作。其能够对SiC MOSFET的导通电压V |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 路过 组合 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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