[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202210208000.5 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114913899A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括基板及基板上的多个双端口SRAM单元阵列。双端口SRAM单元阵列的每一者包括写入端口及读取端口。写入端口包括两个写入传输闸晶体管、两个写入下拉晶体管以及两个写入上拉晶体管。双端口SRAM单元的阵列包括写入端口彼此紧邻的第一及第二双端口SRAM单元。第一及第二双端口SRAM单元的两个写入传输闸晶体管共享共同栅极电极。第一及第二双端口SRAM单元的两个写入下拉晶体管的源极/漏极电极共享共同接点。第一双端口SRAM单元包括连接至共同接点的Vss导线。第二双端口SRAM单元包括连接至共同栅极电极的写入字元线着陆垫。Vss导线及写入字元线着陆垫位于第一金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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