[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202210208000.5 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114913899A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，包括：
一基板；以及
多个双端口SRAM单元的一阵列，位于上述基板上方，其中上述阵列的上述双端口SRAM单元中的每一者包括一写入端口以及一读取端口，上述写入端口包括一第一写入传输闸晶体管、一第二写入传输闸晶体管、一第一写入下拉晶体管、一第二写入下拉晶体管、一第一写入上拉晶体管以及一第二写入上拉晶体管，而上述读取端口包括一读取传输闸晶体管以及一读取下拉晶体管；
其中上述双端口SRAM单元的上述阵列包括一第一双端口SRAM单元与一第二双端口SRAM单元，上述第一双端口SRAM单元的上述写入端口紧邻上述第二双端口SRAM单元的上述写入端口，上述第一双端口SRAM单元的上述第一写入传输闸晶体管与上述第二双端口SRAM单元的上述第一写入传输闸晶体管共享一共同栅极电极，上述第一双端口SRAM单元的上述第一写入下拉晶体管的一源极/漏极电极与上述第二双端口SRAM单元的上述第一写入下拉晶体管的另一源极/漏极电极共享一共同源极/漏极接点；
其中上述第一双端口SRAM单元包括一第一Vss导线，上述第一Vss导线经由一第0层级通孔连接至上述共同源极/漏极接点，而上述第二双端口SRAM单元包括一第一写入字元线着陆垫，上述第一写入字元线着陆垫经由一栅极通孔连接至上述共同栅极电极，其中上述第一Vss导线以及上述第一写入字元线着陆垫位在一第一金属层处。
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