[发明专利]没有空隙的接触点的半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210206085.3 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN115547982A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 周良宾 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种没有空隙的接触点的半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一源极/漏极结构，设置在一半导体基底上；一介电层，设置在该源极/漏极结构上；以及一导电接触点，穿经该介电层以及该源极/漏极结构。该导电接触点包括一导电层以及一阻障层，该阻障层覆盖该导电层的一侧壁以及一下表面；以及其中该阻障层在该导电层的该侧壁上的一第一厚度小于该阻障层在该导电层的该下表面下的一第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 没有 空隙 接触 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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