[发明专利]一种半导体分立器件及其测试方法在审
| 申请号： | 202210201678.0 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116741651A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 纪永刚;丁雪飞;刘栋;潘世祥 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体分立器件的测试方法，包括首先在晶粒上的特定范围测得总电容值，且依照特定范围中的复数个半导体分立器件的数量N，计算得到平均电容值。接着选定待测半导体器件，量测得到待测半导体分立器件的量测电容值，计算比较平均电容值与量测电容值，并借此判断待测半导体器件的内层介质层厚度是否异常，测试方法的流程即结束。本发明在不改变工艺步骤、不增加工艺流程的前提下，能够很好的克服现有技术的缺陷，进而提早发现半导体分立器件的工艺流程是否异常。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 分立 器件 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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