[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210160511.4 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN115249737A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 木下明将 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;包跃华 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提供一种廉价的碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法，其具备以少量的工序数量形成且能够稳定地确保预定耐压的耐压结构。在边缘终端区设置有FLR结构，该FLR结构由以同心状包围有源区的周围的浮动电位的多个FLR构成。FLR结构以预定的FLR为界(变化点b1、b2)分为2个以上的FLR分区。彼此相邻的FLR间的第n间隔x |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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