[发明专利]半导体存储器元件及存储单元在审
| 申请号： | 202210124629.1 | 申请日： | 2022-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN116471844A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 叶毓仁;帅宏勋;陈志容 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/44 | 分类号： | H10B41/44;H10B41/50;H10B41/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器元件及存储单元，其中该存储单元包含基底；浮置栅，设置在基底上；控制栅，设置在浮置栅上；第一介电层，设置在浮置栅与控制栅之间；抹除栅，与控制栅合并，设置在浮置栅的第一侧壁上；第二介电层，设置在浮置栅与抹除栅之间；选择栅，设置在浮置栅的相对的第二侧壁上；间隙壁，设置在选择栅与控制栅之间以及选择栅与浮置栅之间；源极掺杂区，设置在基底内且邻近浮置栅的第一侧壁；以及漏极掺杂区，配置在基底内且邻近选择栅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 元件 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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