[发明专利]阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 202210109200.5 | 申请日: | 2022-01-28 |
公开(公告)号: | CN114512500A | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 钟德镇;苏子芳;张军 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/84 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种阵列基板及其制作方法,阵列基板包括:基底;形成在基底上的扫描线和栅极,栅极与扫描线导电连接;覆盖在扫描线和栅极上的第一绝缘层;形成在第一绝缘层上的漏极、像素电极、源极和数据线,其中像素电极与漏极由第一透明导电层经过图案化处理而形成且两者导电连接,数据线与源极由第二金属层经过图案化处理而形成且两者导电连接,源极与漏极间隔设置形成沟道区;至少覆盖在漏极、沟道区和源极上的金属氧化物半导体层,金属氧化物半导体层填入沟道区并与漏极和源极导电连接;覆盖在金属氧化物半导体层上的绝缘遮光层,绝缘遮光层与金属氧化物半导体层上下重叠设置。本发明的阵列基板及其制作方法不仅节约了成本,还减少了光生漏电现象。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的