[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基底(11)；

形成在所述基底(11)上的扫描线(121)和栅极(122)，所述栅极(122)与所述扫描线(121)导电连接；

覆盖在所述扫描线(121)和所述栅极(122)上的第一绝缘层(13)；

形成在所述第一绝缘层(13)上的漏极(141)、像素电极(142)、源极(151)和数据线(152)，其中所述像素电极(142)与所述漏极(141)由第一透明导电层(14)经过图案化处理而形成且两者导电连接，所述数据线(152)与所述源极(151)由第二金属层(15)经过图案化处理而形成且两者导电连接，所述源极(151)与所述漏极(141)间隔设置形成沟道区(101)；

至少覆盖在所述漏极(141)、所述沟道区(101)和所述源极(151)上的金属氧化物半导体层(181)，所述金属氧化物半导体层(181)填入所述沟道区(101)并与所述漏极(141)和所述源极(151)导电连接；

覆盖在所述金属氧化物半导体层(181)上的绝缘遮光层(191)，所述绝缘遮光层(191)与所述金属氧化物半导体层(181)上下重叠设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极(151)和所述数据线(152)的下方还重叠设置有所述第一透明导电层(14)。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物半导体层(181)覆盖在所述漏极(141)、所述沟道区(101)和所述源极(151)上；或者，所述金属氧化物半导体层(181)覆盖在所述漏极(141)、所述沟道区(101)、所述源极(151)和所述数据线(152)上。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物半导体层(181)在所述基底(11)上的正投影与所述绝缘遮光层(191)在所述基底(11)上的正投影相重合。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘遮光层(191)由氧化钼或者氮化铜制成。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供基底(11)；

在所述基底(11)上形成第一金属层(12)，对所述第一金属层(12)进行图形化处理，使所述第一金属层(12)形成扫描线(121)和栅极(122)，所述扫描线(121)和所述栅极(122)导电连接；

在所述基底(11)上形成覆盖所述扫描线(121)和所述栅极(122)的第一绝缘层(13)；

在所述第一绝缘层(13)上形成第一透明导电层(14)和第二金属层(15)，对所述第一透明导电层(14)和所述第二金属层(15)进行图形化处理，使所述第一透明导电层(14)形成漏极(141)和像素电极(142)，使所述第二金属层(15)形成源极(151)和数据线(152)，所述像素电极(142)与所述漏极(141)导电连接，所述数据线(152)与所述源极(151)导电连接，所述源极(151)与所述漏极(141)间隔设置形成沟道区(101)；

在所述第一绝缘层(13)上依次形成覆盖所述漏极(141)、所述像素电极(142)、所述沟道区(101)、所述源极(151)和所述数据线(152)的金属氧化物半导体薄膜(18)和绝缘遮光薄膜(19)，对所述绝缘遮光薄膜(19)和所述金属氧化物半导体薄膜(18)进行图形化处理，使所述绝缘遮光薄膜(19)形成绝缘遮光层(191)，使所述金属氧化物半导体薄膜(18)形成金属氧化物半导体层(181)，所述绝缘遮光层(191)与所述金属氧化物半导体层(181)上下重叠设置，所述金属氧化物半导体层(181)填入所述沟道区(101)并与所述漏极(141)和所述源极(151)导电连接。