[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210089512.4 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114823612A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 洪元赫;李義福;金洛焕;张宇镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/48;H01L23/528;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;李竞飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置，其包括：衬底上的晶体管；第一金属层，其在晶体管上，并且包括电连接至晶体管的下布线；以及第一金属层上的第二金属层。第二金属层包括电连接至下布线的上布线，并且上布线包括穿通孔中的穿通件结构以及线沟槽中的线结构。穿通件结构包括：穿通件部分，位于穿通孔中，并且联接至下布线；以及阻挡件部分，其从穿通件部分竖直地延伸，以覆盖线沟槽的内表面。阻挡件部分在线结构与第二金属层的层间绝缘层之间。阻挡件部分在其下部水平处比在其上部水平处更厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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