[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210072188.5 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN116507196A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈世言 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L21/66;H01L21/027;G03F1/80;G03F1/76 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;胡春光 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括位于边缘的非完整芯片区和被所述非完整芯片区包围的完整芯片区；在所述晶圆上形成光刻胶；采用不同能量的光束分别辐射所述非完整芯片区和所述完整芯片区上的光刻胶；对所述光刻胶进行显影；其中，所述非完整芯片区上的光刻胶被保留，所述完整芯片区上的光刻胶被移除；对所述晶圆执行刻蚀工艺，以在所述完整芯片区内形成电容孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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