专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202210072188.5在审
  • 陈世言 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-21 - 2023-07-28 - H10N97/00
  • 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法,所述制造方法包括:提供晶圆,所述晶圆包括位于边缘的非完整芯片区和被所述非完整芯片区包围的完整芯片区;在所述晶圆上形成光刻胶;采用不同能量的光束分别辐射所述非完整芯片区和所述完整芯片区上的光刻胶;对所述光刻胶进行显影;其中,所述非完整芯片区上的光刻胶被保留,所述完整芯片区上的光刻胶被移除;对所述晶圆执行刻蚀工艺,以在所述完整芯片区内形成电容孔。
  • 一种半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]光学邻近修正方法和装置-CN202310625840.6在审
  • 陈世言 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-06-30 - G03F1/36
  • 本公开提供一种光学邻近修正方法和装置。该方法包括:在原始图形中分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形和第二光学辅助图形;确定在原始图形中存在异常光学辅助图形,异常光学辅助图形是由第一光学辅助图形和第二光学辅助图形形成的,异常光学辅助图形是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形;对异常光学辅助图形处理,获得包括目标光学辅助图形和原始图形的目标图形,目标光学辅助图形是指不会在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。本公开实施例的方法能够提高所需目标图形的准确性。
  • 光学邻近修正方法装置

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