[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210021780.2 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116471829A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张魁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;G11C7/18;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构及其制造方法；所述半导体结构包括：基底；垂直设置在基底上的多个通道立柱；多条平行排列的位线，每条位线包裹一列通道立柱的下部；多条平行排列的字线，每条字线包裹一行通道立柱的上部；字线与位线在同一投影面上相互垂直；位线下方的通道立柱周围、相邻的位线之间、位线与字线之间的通道立柱周围、相邻的字线之间分别形成有绝缘材料层；至少一个绝缘材料层中有空隙。本申请方案的半导体结构在相邻位线之间、位线下方的立柱周围、字线之间以及字线下方的立柱周围，其中至少一处形成有空隙，降低了字线、位线等导电材料之间的寄生电容，提升了存储器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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