[发明专利]用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路

摘要

本发明公开了一种用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其包括隔离驱动模块、用于电连接PWM信号的PWM端口、用于电连接所述碳化硅半导体场效应管门极的SIC‑G端口和用于电连接所述碳化硅半导体场效应管源极的SIC‑S端口，所述隔离驱动模块包括隔离驱动芯片，所述隔离驱动芯片的IN+端电连接所述PWM端口以构成PWM信号传输主路，VCC1端电连接一第一电源电压，IN‑端和GND1端并联后接公共地，OUT+端和OUT‑端并联后电连接所述SIC‑G端口，VCC2端电连接一第二电源电压，所述隔离驱动芯片的GND2端电连接一第三电源电压，所述SIC‑S端口电连接于所述VCC2端和第二电源电压之间；本发明的抗干扰能力强，并能够在500KHz高开关频率下具有较快脉冲上升、下降速度，适于应用于碳化硅器件的电力变换器设备中。