[发明专利]用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路

权利要求书

1.一种用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：包括隔离驱动模块、用于电连接PWM信号的PWM端口、用于电连接所述碳化硅半导体场效应管门极的SIC-G端口和用于电连接所述碳化硅半导体场效应管源极的SIC-S端口，所述隔离驱动模块包括隔离驱动芯片，所述隔离驱动芯片的IN+端电连接所述PWM端口以构成PWM信号传输主路，VCC1端电连接一第一电源电压，IN-端和GND1端并联后接公共地，OUT+端和OUT-端并联后电连接所述SIC-G端口，VCC2端电连接一第二电源电压，所述隔离驱动芯片的GND2端电连接一第三电源电压，所述SIC-S端口电连接于所述VCC2端和第二电源电压之间。

2.如权利要求1所述的用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：还包括下拉模块，所述下拉模块包括第一电阻R1，所述一电阻R1的一端电连接所述PWM信号传输主路，另一端接公共地。

3.如权利要求1所述的用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：还包括反向加速释放模块，所述反向加速释放模块包括第二电阻R2、第三电阻R3和反向截止单元，所述第二电阻R2串联在所述PWM信号传输主路上，所述第三电阻R3和反向截止单元串联后，与所述第二电阻R2呈并联设置，所述反向截止单元限制电流沿所述IN+端至PWM端口方向流经所述第三电阻R3。

4.如权利要求3所述的用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：所述反向加速释放模块包括两第二二极管D2，两所述第二二极管D2呈同向地并联设置，所述第二二极管D2的正极端电连接所述第二电阻R2，负极端电连接所述PWM信号传输主路。

5.如权利要求1所述的用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：还包括滤波模块，所述滤波模块包括第四电阻R4和第一电容C1，所述第四电阻R4的一端电连接所述PWM信号传输主路，另一端接公共地；所述第一电容C1的一端电连接所述PWM信号传输主路，另一端接公共地。

6.如权利要求1所述的用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：还包括钳位模块，所述钳位模块包括两依次串联的第一二极管D1，两所述第一二极管D1串联后的正极端电连接所述第一电源电压，负极端接公共地。

7.如权利要求1所述的用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：还包括第五电阻R5和第六电阻R6，所述OUT+端串联第五电阻R5后的支路与所述OUT-端串联第六电阻R6后的支路呈并联设置后电连接所述SIC-G端口。

8.如权利要求1所述的用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：还包括第二电容C2和第四电容C4，所述第二电容C2和第四电容C4串联后一端电连接于所述VCC2端和第二电源电压之间，另一端电连接第三电源电压，所述SIC-S端口电连接于所述第二电容C2和第四电容C4之间。

9.如权利要求1所述的用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：还包括第三电容C3，所述第三电容C3的一端电连接于所述VCC1端和第一电源电压之间，另一端接公共地。

10.如权利要求1所述的用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其特征在于：所述公共地由OV电源提供，所述第二电源电压和第三电源电压由隔离电源提供，所述第三电源电压为所述隔离电源的参考地电压值。