[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202180083214.8 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN116568772A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲 | 申请（专利权）人： | SK恩普士有限公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 宋东颖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光用组合物的半导体器件的制造方法，其中，就包含抛光颗粒、加速剂和稳定剂的本发明的抛光组合物而言，将抛光组合物在60℃以上长时间储存后，粒子间也不会发生凝集现象，故长时间储存稳定性优异；并且作为应用于非晶质碳膜(Amorphous carbon layer)的抛光工艺中的抛光组合物，能够表现出高抛光率，还能防止抛光工艺中产生的碳残留物(Carbon residue)吸附在半导体基板上，并能防止抛光垫的污染。此外，本发明还能够提供一种适用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 抛光 组合 制备 方法 以及 适用 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SK恩普士有限公司，未经SK恩普士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180083214.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
