[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180001695.3 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113261119B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 曾炜竣;彭康伟;林素慧;江宾;曾明俊;黄敏 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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