[实用新型]一种用于半导体芯片的多层真空封装装置有效
| 申请号： | 202123211954.1 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN215771084U | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 赵永先;张延忠;邓燕 | 申请（专利权）人： | 北京中科同志科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京佐行专利代理事务所(特殊普通合伙) 11683 | 代理人： | 王占愈;王二娟 |
| 地址： | 100015 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种用于半导体芯片的多层真空封装装置，包括外壳、真空腔体、加热台和冷却机构；所述真空腔体设置在所述外壳内部；所述加热台固定在所述真空腔体内部，所述加热台包括导热载台和加热装置；所述加热装置包括红外加热管，其中，所述导热载台所在的平面与所述红外加热管所在的平面相互平行；所述导热载台底部设置有冷却槽，所述冷却槽的横截面呈圆弧形；所述冷却机构包括U型冷却管；所述冷却槽的槽面与所述U型冷却管的外壁紧贴结合，所述U型冷却管被所述冷却槽包覆的部分的面积大于裸露在外的部分的面积；所述U型冷却管的开口方向与所述红外加热管的延伸方向相互垂直。本申请提高了加热效率，提高了安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 芯片 多层 真空 封装 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
