[实用新型]一种用于半导体芯片的多层真空封装装置有效
申请号: | 202123211954.1 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN215771084U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 赵永先;张延忠;邓燕 | 申请(专利权)人: | 北京中科同志科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 北京佐行专利代理事务所(特殊普通合伙) 11683 | 代理人: | 王占愈;王二娟 |
地址: | 100015 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 芯片 多层 真空 封装 装置 | ||
本申请提供一种用于半导体芯片的多层真空封装装置,包括外壳、真空腔体、加热台和冷却机构;所述真空腔体设置在所述外壳内部;所述加热台固定在所述真空腔体内部,所述加热台包括导热载台和加热装置;所述加热装置包括红外加热管,其中,所述导热载台所在的平面与所述红外加热管所在的平面相互平行;所述导热载台底部设置有冷却槽,所述冷却槽的横截面呈圆弧形;所述冷却机构包括U型冷却管;所述冷却槽的槽面与所述U型冷却管的外壁紧贴结合,所述U型冷却管被所述冷却槽包覆的部分的面积大于裸露在外的部分的面积;所述U型冷却管的开口方向与所述红外加热管的延伸方向相互垂直。本申请提高了加热效率,提高了安全性。
技术领域
本申请涉及半导体芯片真空封装技术领域,尤其涉及一种半导体芯片的多层真空封装焊接装置。
背景技术
现有半导体行业芯片封装技术的多层真空封装设备,多是采用铜铸加热板结构,也就是冷却管和加热管直接与加热板压铸成一体的方式,受限于工艺等原因,压铸加热板功率比较低,加热速率及加热均匀性差,冷却管分布少,冷却速率及冷却均匀性差,支撑固定机构需足够强度,加热板本身体积大,重量大,支撑固定机构需足够强度,占用较大空间。同时,加热板功率不可调节,加热冷却效果差,因此迫切需要比传统产品更为可靠方便的结构产品。
实用新型内容
为了解决问题,本申请提供一种用于半导体芯片的多层真空封装装置,包括外壳、真空腔体、加热台和冷却机构;
所述真空腔体设置在所述外壳内部,所述真空腔体包括腔门;
所述加热台固定在所述真空腔体内部,所述加热台包括导热载台和加热装置;所述加热装置包括红外加热管,其中,所述导热载台所在的平面与所述红外加热管所在的平面相互平行;
所述导热载台底部设置有冷却槽,所述冷却槽的横截面呈圆弧形;
所述冷却机构包括U型冷却管,所述U型冷却管嵌入所述冷却槽中;
所述冷却槽的槽面与所述U型冷却管的外壁紧贴结合,所述U型冷却管被所述冷却槽包覆的部分的面积大于裸露在外的部分的面积;
所述U型冷却管的开口方向与所述红外加热管的延伸方向相互垂直。
其中,优选的,所述导热载台设置为由若干的方形石墨板拼合而成,相邻石墨板之间设有板固定部件。
其中,优选的,所述加热台设置为一层或多层,每层加热台的所述导热载台都设置有所述U型冷却管。
其中,优选的,所述U型冷却管通过冷却管支撑件和冷却管定位卡件固定在所述真空腔体上;相邻的U型冷却管之间通过冷却管压板固定,所述U型冷却管形成的平面与所述导热载台所在平面平行。
其中,优选的,所述冷却管支撑件及所述冷却管定位卡件均设置有用于安装所述U型冷却管的导向槽。
其中,优选的,所述冷却机构还包括外壳冷却装置和腔门冷却装置,所述外壳冷却装置用于外壳的冷却,所述腔门冷却装置用于所述腔门的冷却;所述冷却机构还包括冷却液箱体和冷却机。
其中,优选的,所述用于半导体芯片的多层真空封装装置还包括真空泵装置、管阀装置、过滤装置、鼠标、键盘、显示器以及报警灯;所述真空泵装置连接在所述真空腔体上,通过所述真空泵装置能够对所述真空腔体抽真空;所述过滤装置设置在所述真空腔体与所在真空泵之间的管路上,用于过滤杂质;所述鼠标、键盘、显示器用于对用于半导体芯片的多层真空封装装置进行操作。
其中,优选的,所述腔门上设置有拉手,所述外壳底部设置有底轮。
本申请实现的有益效果如下:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科同志科技股份有限公司,未经北京中科同志科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123211954.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种启动锅炉烟气的SCR脱硝系统
- 下一篇:半导体封装辅助贴膜装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造