[实用新型]一种嵌入MRAM的集成电路有效
| 申请号： | 202121449638.5 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN215069970U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张均颜 | 申请（专利权）人： | 深圳市钧敏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/48;H01L23/46;H01L23/31;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 罗炳锋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区民治街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种嵌入MRAM的集成电路，涉及集成电路技术领域，包括集成电路本体，所述集成电路本体的两侧均固定连接有焊接引脚，所述集成电路本体的顶部固定焊接有硬件芯片，所述集成电路本体顶部的中心处固定焊接有嵌入MRAM本体，所述集成电路本体的顶部设置有防干扰机构。本实用新型通过隔磁片和吸波片的设计，避免嵌入MRAM本体和硬件芯片之间相互产生电磁干扰的问题，通过设有防干扰网体和薄铅板，避免嵌入MRAM本体和硬件芯片之间相互产生信号干扰的问题，保障嵌入MRAM本体的正常运行，解决嵌入MRAM本体在运行时容易受到其它硬件芯片的干扰，从而影响嵌入MRAM本体的读写能力的问题，增强嵌入MRAM本体的处理能力，提升本装置的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入 mram 集成电路 | ||
【主权项】：
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