[实用新型]多芯片并联封装结构和功率器件有效
| 申请号： | 202120271306.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN214279952U | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 宋辉;张太之;曹玉昭;何友东;时尚起 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇川技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 邝艳菊 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种多芯片并联封装结构和功率器件，该多芯片并联封装结构包括：第一封装板、多个芯片及第二封装板。第一封装板包括第一绝缘层、第一导电层及第二导电层，第一绝缘层设置有多个通孔，每一通孔处设置有第一导电件，第一导电层设于第一绝缘层的上表面，第二导电层设于第一绝缘层的下表面，第一导电层与多个第一导电件连接，第二导电层包括第一连接件、第二连接件及多个第三连接件；每一芯片的第一电极与第一连接件电连接，每一芯片的第二电极与第二连接件电连接，每一芯片的第三电极与第三连接件电连接；第二封装板与多个芯片背离第二导电层的一表面连接。本实用新型多芯片并联封装结构提高封装结构的紧凑性和高功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 并联 封装 结构 功率 器件 | ||
【主权项】：
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