[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111673423.6 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114300529A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 张清纯;史文华;李敏 | 申请（专利权）人： | 清纯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/786;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 200441 上海市宝山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层；位于所述漂移层中的横向电流扩展层，所述横向电流扩展层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同，所述横向电流扩展层的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度；位于所述漂移层中顶部区域的有源掺杂区，所述有源掺杂区至少位于部分横向电流扩展层的上方，所述有源掺杂区的导电类型与所述漂移层的导电类型相反。所述半导体结构的正向导通电阻降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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