[发明专利]一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法在审
申请号: | 202111657006.2 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114284246A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 朱皓天;刘锶钰;张德海;孟进 | 申请(专利权)人: | 中国科学院国家空间科学中心 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/027 |
代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 陈琳琳;李彪 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法,所述结构包括:设置在硅垫片上的“桥墩式”结构,所述“桥墩式”结构包括两个柱体或台体,用于支撑待测单片电路和在测试时承受探针的压力。所述方法将硅片按照待测单片电路的结构进行光刻图形定义,“桥墩式”结构位置采用光刻胶进行保护,然后按照光刻图形进行深硅刻蚀,将完整厚度的硅片整体刻穿,形成“桥墩式”结构;选择一个完整硅片作为硅垫片,在硅垫片上旋涂一层光刻胶使硅垫片与“桥墩式”结构稳定连接,烘干后通过十字对准结构将单片电路装配在已刻蚀的硅片表面,形成用于二极管在片测试的“桥墩式”结构。本发明改善了单片基板厚度对二极管寄生参数提取的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 二极管 测试 桥墩 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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