[发明专利]一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法，所述结构包括：设置在硅垫片上的“桥墩式”结构，所述“桥墩式”结构包括两个柱体或台体，用于支撑待测单片电路和在测试时承受探针的压力。所述方法将硅片按照待测单片电路的结构进行光刻图形定义，“桥墩式”结构位置采用光刻胶进行保护，然后按照光刻图形进行深硅刻蚀，将完整厚度的硅片整体刻穿，形成“桥墩式”结构；选择一个完整硅片作为硅垫片，在硅垫片上旋涂一层光刻胶使硅垫片与“桥墩式”结构稳定连接，烘干后通过十字对准结构将单片电路装配在已刻蚀的硅片表面，形成用于二极管在片测试的“桥墩式”结构。本发明改善了单片基板厚度对二极管寄生参数提取的影响。

技术领域

本发明涉及肖特基二极管在片测试基板结构领域，特别涉及一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法。

背景技术

太赫兹波是介于微波毫米波与红外光之间的电磁波，其频率范围通常在0.1-10THz之间，对应波长为0.03-3mm。20世纪90年代以来，随着激光技术、化合物半导体技术的发展，人们对太赫兹科学的研究取得了很大的进展。太赫兹频域处于宏观经典理论向微观量子理论的过渡区，鉴于其特殊的频谱位置，太赫兹波表现出许多优良的特性，包括：能够穿透大部分非金属材料，且不会引起材料中分子电离，特别适合于对生物组织的活体检测以及下一代安全的安检成像应用；具有量子特性，不仅可以被指定的准光学器件反射、聚焦而在指定的波导中传输，同时还可以穿透很多不透明的物体，比如陶瓷、塑料、木质、有机材料等，适合于对密封物品的检测以及安全检查。此外还可以利用太赫兹波的这一特性来探测大气中的特定成分，比如水汽、冰云、臭氧以及大气环境质量的监测。凭借着如此优良的特性，太赫兹技术被广泛应用于空间科学领域、物质探测、通信领域、生物科学领域中。

当频率上升到太赫兹频段时，二极管寄生效应的影响越来越明显，因此需要对二极管的寄生效应展开研究。肖特基二极管在片测试的基板厚度与太赫兹单片电路基板厚度不一致是影响寄生参数准确提取的一个因素。肖特基二极管的精确建模，可以提高太赫兹混频器性能。

肖特基二极管在片测试需要一定厚度的基板承受探针压力，目前在片测试的单片基板厚度通常不做减薄处理，肖特基二极管处基板厚度远大于实际单片电路工作情况下的厚度。由此得到的肖特基二极管寄生参数提取值包含较厚基板的影响，无法在后续的数据处理中消除，影响提取参数的准确性。

为了提高肖特基二极管在片参数提取的准确性，改进肖特基二极管单片工艺结构进行在片测试，提出将肖特基二极管处基板厚度减薄到与实际工作电路一致的“桥墩式”工艺结构设计。当两侧探针进行施力时，“桥墩式”结构可承受较大的力，避免单片发生形变和损坏。最下面有一个完整硅片作为底座支撑，刻蚀好的硅片作为桥梁的桥墩结构，支撑探针施力的两端，单片二极管结构对应基板厚度达到微米级别。

发明内容

本发明的目的在于，克服在进行肖特基二极管在片测试时基板较厚对于寄生参数提取的影响，从而提供一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构，所述结构包括：

设置在硅垫片(2)上的“桥墩式”结构(1)，所述“桥墩式”结构(1)包括两个柱体或台体，用于支撑待测单片电路和在测试时承受探针的压力。

作为上述技术方案的一种改进，所述柱体可以是本领域公知可应用于本发明的任意形状柱体，例如但不限于正方体、长方体、圆柱体、正三棱柱、正六棱柱等；

作为上述技术方案的一种改进，所述台体可以是本领域公知可应用于本发明的任意形状台体，例如但不限于圆台、三棱台、四棱台、六棱台等；

作为上述技术方案的又一种改进，所述两个柱体或台体之间的距离范围根据太赫兹不同频段的需求优选但不限于为50～400μm；

作为上述技术方案的再一种改进，所述柱体或台体的高度范围优选但不限于不超过1mm。