[发明专利]一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法

权利要求书

1.一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构，其特征在于，所述结构包括：

设置在硅垫片(2)上的“桥墩式”结构(1)，所述“桥墩式”结构(1)包括两个柱体或台体，用于支撑待测单片电路和在测试时承受探针的压力。

2.根据权利要求1所述的用于二极管在片测试的“桥墩式”结构，其特征在于，所述柱体为正方体、长方体、圆柱体、正三棱柱或正六棱柱。

3.根据权利要求1所述的用于二极管在片测试的“桥墩式”结构，其特征在于，所述台体为圆台、三棱台、四棱台或六棱台。

4.根据权利要求1所述的用于二极管在片测试的“桥墩式”结构，其特征在于，所述两个柱体或台体之间的距离为50～400μm。

5.根据权利要求1所述的用于二极管在片测试的“桥墩式”结构，其特征在于，所述柱体或台体的高度范围小于等于1mm。

6.根据权利要求1所述的用于二极管在片测试的“桥墩式”结构，其特征在于，所述“桥墩式”结构(1)的表面有一层光刻胶(3)，在装配待测单片电路时，通过在其正面设置对准结构实现待测单片电路与所述“桥墩式”结构(1)的对准，从而将待测单片电路装配在“桥墩式”结构(1)表面的光刻胶(3)上。

7.根据权利要求1所述的用于二极管在片测试的“桥墩式”结构，其特征在于，所述硅垫片(2)表面有一层光刻胶(3)，所述光刻胶(3)用于使所述硅垫片(2)与所述“桥墩式”结构(1)的底部稳定连接。

8.一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)光刻图形定义：将一个硅片按照待测单片电路的结构形式进行光刻图形的定义，在硅片两侧的“桥墩式”结构表面旋涂一层光刻胶进行保护；

2)深硅刻蚀：在光刻图形定义完成后，按照光刻图形将完整厚度的硅片未旋涂光刻胶的部分整体刻穿，得到“桥墩式”结构；

3)固定硅垫片：选取一个完整硅片作为硅垫片，在所述硅垫片表面旋涂一层光刻胶，将所述步骤2)深硅刻蚀后得到的“桥墩式”结构底部固定在光刻胶表面，稳定连接后对其进行烘干，得到用于二极管在片测试的“桥墩式”结构。