[发明专利]一种存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111583992.1 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN116367552A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 于志猛;申力杰;杨丹丹;何世坤 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/01;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛晨光 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储器，包括底电路层；设于底电路层上表面的底电极；设于底电极四周的氧化层；设于底电极上表面、由下至上层叠的存储单元层、金属硬掩膜层；设于金属硬掩膜层上表面的顶电路层。本申请中的存储器在底电极的四周设置有氧化层，即底电极侧侧壁被完全氧化，在存储单元层刻蚀过程中减少因反溅射而出现短路的状况，提升存储器的性能和良率，且由于底电极关键尺寸较大，嵌套精度卡控更为宽松且使得底电极图形化工艺实现难度显著降低；氧化层的厚度可控，可以根据存储单元层的尺寸进行调节，兼容不同尺寸的存储单元。本申请还提供一种制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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