[发明专利]一种存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

底电路层；

设于所述底电路层上表面的底电极；

设于所述底电极四周的氧化层；

设于所述底电极上表面、由下至上层叠的存储单元层、金属硬掩膜层；

设于所述金属硬掩膜层上表面的顶电路层。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述底电路层与所述底电极连接处为铜导电体时，所述铜导电体的上表面位于所述底电极的下表面在水平面的投影区域范围内。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述底电路层与所述底电极连接处为非铜导电体时，所述底电极的下表面位于所述非铜导电体的上表面的区域范围内。

4.如权利要求1至3任一项所述的存储器，其特征在于，还包括：

设于所述存储单元层和所述金属硬掩膜层周围的绝缘保护层。

5.一种存储器制备方法，其特征在于，包括：

在底电路层的上表面形成底电极；

对所述底电极的表面进行氧化处理，在所述底电极表面形成氧化层；

去除位于所述底电路层的上表面的所述氧化层，使所述底电极的四周保留有所述氧化层；

在所述底电极的上表面形成由下至上层叠的存储单元层和金属硬掩膜层；

刻蚀所述存储单元层并引入过刻蚀；

在所述金属硬掩膜层的上表面形成顶电路层。

6.如权利要求5所述的存储器制备方法，其特征在于，所述对所述底电极的表面进行氧化处理包括：

使用过氧化物溶液对所述底电极的表面进行氧化处理。

7.如权利要求5所述的存储器制备方法，其特征在于，所述对所述底电极的表面进行氧化处理包括：

在刻蚀腔体内将气体电离出等离子体，并用所述等离子体对所述底电极的表面进行氧化处理，其中，所述气体为氧气，或者，氧气和惰性气体的混合气体。

8.如权利要求5所述的存储器制备方法，其特征在于，所述对所述底电极的表面进行氧化处理包括：

在高温的环境下，在去胶机台内将气体电离出等离子体，并用所述等离子体对所述底电极的表面进行氧化处理，其中，所述气体为氧气，或者，氧气和惰性气体的混合气体。

9.如权利要求5所述的存储器制备方法，其特征在于，所述去除位于所述底电路层的上表面的所述氧化层包括：

在所述底电路层的上表面未被所述底电极和所述氧化层覆盖的区域形成介质层，得到预处理结构体；

减薄所述预处理结构体及位于所述底电极上表面的氧化层以露出所述底电极，形成导电通路。

10.如权利要求5至9任一项所述的存储器制备方法，其特征在于，所述过度刻蚀所述存储单元层之后，还包括：

在所述存储单元层和所述金属硬掩膜层周围形成绝缘保护层。