[发明专利]场效应晶体管及具有其的半导体功率模块和车辆在审
| 申请号： | 202111579500.1 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN116344603A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞红;黄宝伟 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人： | 贾玉姣 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管及具有其的半导体功率模块和车辆。所述场效应晶体管包括：第一导电类型掺杂的漂移区；漂移区的上表面形成有第二导电类型掺杂区和正面电极层，第二导电类型掺杂区位于漂移区的上表面与正面电极层的下表面之间，第二导电类型掺杂区中形成有第一导电类型的源区；多个沟槽栅结构，多个沟槽栅结构彼此间隔开，每个沟槽栅结构从第二导电类型掺杂区的上表面延伸至漂移区内；漂移区的下表面形成有第二导电类型的集电区和背面电极层，集电区位于漂移区与背面电极层之间；其中，至少一个沟槽栅结构在与漂移区平行的方向沿非直条状延伸。所述场效应晶体管具有更低的正向饱和压降，降低在应用端使用时的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 具有 半导体 功率 模块 车辆 | ||
【主权项】：
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