[发明专利]场效应晶体管及具有其的半导体功率模块和车辆

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：

第一导电类型的漂移区；

所述漂移区的上表面形成有第二导电类型掺杂区和正面电极层，所述第二导电类型掺杂区位于所述漂移区的所述上表面与所述正面电极层的下表面之间，所述第二导电类型掺杂区中形成有第一导电类型的源区；

多个沟槽栅结构，多个所述沟槽栅结构彼此间隔开，每个所述沟槽栅结构从所述第二导电类型掺杂区的上表面延伸至所述漂移区内；

所述漂移区的下表面形成有第二导电类型的集电区和背面电极层，所述集电区位于所述漂移区与所述背面电极层之间；

其中，至少一个所述沟槽栅结构在与所述漂移区平行的方向沿非直条状延伸。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述沟槽栅结构在与所述漂移区平行的方向沿锯齿状、波浪状、方波状、梯形状中的至少一种弯曲状延伸。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述沟槽栅结构在与所述漂移区平行的方向沿不规则的曲线延伸。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述沟槽栅结构包括：

贯穿所述第二导电类型掺杂区并延伸到所述漂移区中的沟槽，所述沟槽中填充有多晶硅层，在所述沟槽内表面与所述多晶硅层之间设置有栅氧层。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型的源区从所述第二导电类型掺杂区的上表面向所述第二导电类型掺杂区的内部延伸，所述源区位于所述沟槽栅结构的一侧并且所述源区在与所述漂移区平行的方向上沿所述沟槽栅结构延伸。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，在所述正面电极层与所述第二导电类型掺杂区之间设置有介质层。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于，在所述介质层中开设有接触孔，所述正面电极层通过所述接触孔与所述第二导电类型掺杂区接触。

8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其特征在于，所述接触孔为多个，多个所述接触孔在与所述漂移区平行的方向上沿所述沟槽栅结构的延伸方向不连续设置。

9.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，多个沟槽栅结构包括间隔设置的第一沟槽栅结构和第二沟槽栅结构，所述第一沟槽栅结构和所述第二沟槽栅结构相邻，所述源区包括第一源区和第二源区，所述第一源区设置在所述第一沟槽栅结构靠近所述第二沟槽栅结构的一侧，所述第二源区设置在所述第二沟槽栅结构靠近所述第一沟槽栅结构的一侧，每个所述接触孔位于所述第一沟槽栅结构和所述第二沟槽栅之间。

10.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其特征在于，每个所述接触孔部分地或完全地位于所述第一源区与所述第二源区之间。

11.根据权利要求1-5中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管还包括：

第一导电类型的缓冲层，所述缓冲层设置在所述漂移区与所述集电区之间。

12.一种半导体功率模块，其特征在于，包括至少一个根据权利要求1-11中任一项所述的场效应晶体管。

13.一种车辆，其特征在于，包括根据权利要求12所述的半导体功率模块。