[发明专利]一种图形轮廓质量提高方法在审
| 申请号： | 202111561887.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114256063A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 丁奥博;孟艳秋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图形轮廓质量提高方法，应用于半导体领域。本发明通过通入惰性气体轰击图形化的光刻胶层，以打断图形化的光刻胶层的表层中的官能团和碳原子之间的化学键，使图形化的光刻胶层的表层中短碳链能相互连接而形成长碳链，由此使得图形化的光刻胶层的表层转化为硬化膜层，然后以具有该硬化膜层的光刻胶层为掩膜，对待图形化层进行刻蚀时，该硬化膜层可以避免光刻胶层因刻蚀而出现顶角被削角的问题，由此，可使得待图形化层被刻蚀后形成的目标图形的侧壁轮廓较直，从而满足产品对目标图形的轮廓形貌的质量要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 轮廓 质量 提高 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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