[发明专利]一种非对称半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 202111555966.8 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114300354A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 林源为 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非对称半导体结构的制作方法，包括：提供具有第一通孔的第一晶圆；提供第二晶圆，在其上形成具有第二通孔的光刻胶层；其中，第一通孔的宽度大于第二通孔的宽度；将第一晶圆与第二晶圆键合在一起，以使第一通孔与第二通孔连通成非对称的沟槽结构；以第一晶圆和光刻胶层为掩膜，对第二晶圆进行刻蚀，以在第二晶圆上形成非对称半导体结构；解键合去除第一晶圆和光刻胶层。通过先提供具有第一通孔的第一晶圆，然后提供具有第二通孔的光刻胶层的第二晶圆，并将第一晶圆和第二晶圆键合使第一通孔和第二通孔连通形成非对称的沟槽结构，通过非对称的沟槽结构对第二晶圆进行刻蚀形成非对称半导体结构，该制备方法工艺简单且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
